IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE036N08NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE031N08LM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE036N08NM6CGATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 6 (40 V to 100 V)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 118 A —
Continuous Drain Current (Id) at Ta 16.7 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V (max) —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction, Tj) -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6)
پیکیج PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 —
Configuration Single N-channel, Source-Down —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 127 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V]
Gate Drive Level — Logic-level
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں