IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE036N08NM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQE012N03LM5CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज / केस | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | — |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | — |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| पैकेज | — | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |
| MSL स्तर | — | 1 |