IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE036N08NM6CGSCATMA1 bằng Infineon và IQE012N03LM5CGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp / Vỏ | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | — |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | — |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| Hộp | — | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |
| Cấp MSL | — | 1 |