IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE036N08NM6CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQE012N03LM5CGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז / Case | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | — |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | — |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| מארז | — | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |
| רמת MSL | — | 1 |