IRF4905STRRPBF vs IRFR5305TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF4905STRRPBF द्वारा Infineon और IRFR5305TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF4905STRRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | 110 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263-3) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (IR MOSFET) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |