IRF4905STRRPBF vs IRFR5305TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905STRRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR5305TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ فعال
Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905STRRPBF IRFR5305TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -74 A 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 20 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 170 W 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج D2PAK (TO-263-3) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (IR MOSFET)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
MSL لیول — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں