IRF5305PBF vs IRF5305STRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF5305PBF द्वारा Infineon और IRF5305STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF5305PBF IRF5305STRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 110 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 60 mOhm (typical) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Turn-On Delay Time (td(on)) [DATA_NEEDED: td(on)] —
Turn-Off Delay Time (td(off)) [DATA_NEEDED: td(off)] —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab) TO-263 / D2PAK (surface mount)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
Lead-Free Plating (PBF suffix) Yes (Pb-free) —
RoHS स्थिति Compliant —
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
Packaging — Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix PBF)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध