IRF5305PBF vs IRF5305STRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF5305PBF bằng Infineon và IRF5305STRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF5305PBF | IRF5305STRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -31 A | -31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 60 mOhm (typical) | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A | [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Turn-On Delay Time (td(on)) | [DATA_NEEDED: td(on)] | — |
| Turn-Off Delay Time (td(off)) | [DATA_NEEDED: td(off)] | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | [DATA_NEEDED: RthJA] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab) | TO-263 / D2PAK (surface mount) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free Plating (PBF suffix) | Yes (Pb-free) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Maximum Power Dissition at Tc | — | 110 W |
| Maximum Power Dissipation at TA | — | 3.8 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix PBF) |