IRF5305STRLPBF vs IRF5305PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF5305STRLPBF द्वारा Infineon और IRF5305PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF5305STRLPBF IRF5305PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 42 nC (typical)
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
पैकेज TO-263 / D2PAK (surface mount) TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through Hole
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET HEXFET (planar DMOS)
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 110 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 60 mOhm (typical)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A — [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Turn-On Delay Time (td(on)) — [DATA_NEEDED: td(on)]
Turn-Off Delay Time (td(off)) — [DATA_NEEDED: td(off)]
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
Lead-Free Plating (PBF suffix) — Yes (Pb-free)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध