IRF5305STRLPBF vs IRF5305PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF5305STRLPBF bằng Infineon và IRF5305PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF5305PBF IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET 31A TO-220 | Infineon

IRF5305PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF5305STRLPBF IRF5305PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -31 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
RDS(on) max at VGS=-10V 60 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) 42 nC (typical)
Maximum Power Dissition at Tc 110 W —
Maximum Power Dissipation at TA 3.8 W —
Hộp TO-263 / D2PAK (surface mount) TO-220AB (through-hole, 3-pin + tab)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Technology HEXFET (fifth generation), IR MOSFET HEXFET (planar DMOS)
Packaging Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix PBF) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 110 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 60 mOhm (typical)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V ID=-16A — [DATA_NEEDED: max RDS(on) at -10V]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Turn-On Delay Time (td(on)) — [DATA_NEEDED: td(on)]
Turn-Off Delay Time (td(off)) — [DATA_NEEDED: td(off)]
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA]
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Lead-Free Plating (PBF suffix) — Yes (Pb-free)
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá