IRFR3411TRPBF vs IRFR3710ZTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR3411TRPBF द्वारा Infineon और IRFR3710ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR3411TRPBF | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 100 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 44 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Charge (Qg) | 48 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-free, PBF suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 140 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |