IRFR9024NTRLPBF vs IRFR9024NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR9024NTRLPBF द्वारा Infineon और IRFR9024NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $0.17
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 (Drain, Gate, Source + Tab) 3
Technology HEXFET (Generation 5) HEXFET (Gen 5)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
पल्स्ड ड्रेन करंट — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
पैकेज — TO-252AA (DPAK)
RoHS स्थिति — Compliant

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