IRFR9024NTRLPBF vs IRFR9024NTRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRFR9024NTRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRFR9024NTRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $0.17
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Kiraan Pin 3 (Drain, Gate, Source + Tab) 3
Technology HEXFET (Generation 5) HEXFET (Gen 5)
Gambaran Suhu Operasi -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
Arus Alir Gesa — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +175C
Kemasan — TO-252AA (DPAK)
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga