IRFZ34NPBF vs IRFZ48NSTRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFZ34NPBF द्वारा Infineon और IRFZ48NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF - 55V 29A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ34NPBF - 55V 29A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ34NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFZ34NPBF IRFZ48NSTRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
पैकेज TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

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