IRFZ34NPBF vs IRFZ48NSTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ34NPBF מאת Infineon ו IRFZ48NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFZ34NPBF IRFZ48NSTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
מארז TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר