ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC015N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC014NE2LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC015N06NM5ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |