ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC037N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N06S5L015ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC037N12NM6ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (Tj) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |