ISK057N04LM6ATLA1 vs BSC028N06NSTATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISK057N04LM6ATLA1 द्वारा Infineon और BSC028N06NSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISK057N04LM6ATLA1 BSC028N06NSTATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 OptiMOS 5
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology Trench (OptiMOS 6) MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
RDS(on) typical at VGS=10V 5.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg total) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 39.1 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +150 °C —
पैकेज / केस PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 1
Packaging Tape & Reel (TR) —
DigiKey Part Number 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND —
Part Number Base — BSC028N06NS
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
पैकेज — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
हैलोजन फ्री — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

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