K3KLALA0DM-MGCU vs K3KLELE0DM-BGCU तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K3KLALA0DM-MGCU द्वारा Samsung Electronics और K3KLELE0DM-BGCU द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung
K3KLELE0DM-BGCU ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K3KLALA0DM-MGCU | K3KLELE0DM-BGCU |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 16 Gbit (2 GB) per die | 144 Gb |
| Maximum Data Rate | 6400 Mbps per pin | — |
| इंटरफ़ेस | LPDDR5X (LPDDR5X-class channel) | LPDDR5X |
| पैकेज | 315-ball FBGA | 496-ball FBGA |
| संगठन | [DATA_NEEDED: die organization x16/x32] | x64 |
| Supply Voltage - Core (VDD1) | [DATA_NEEDED: VDD1 voltage] | — |
| Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade Suffix | MGCU (6400 Mbps class) | — |
| Grade | Mobile / Low Power Mobile Grade | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Ball Pitch | [DATA_NEEDED: ball pitch mm] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25 C to +85 C |
| Place of Origin | Johor, Malaysia (per distributor listing) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| DRAM Process | Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family) | — |
| डेटा दर | — | 8533 Mbps |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.9 V |
| Supply Voltage (VDDCA) | — | 0.5 V |
| Application Class | — | AI and in-vehicle devices |
| Product Status | — | EOL |
| Power Efficiency vs Previous Generation | — | Approx. 25% better (per Samsung) |
| Speed vs Previous Generation | — | Approx. 1.25x faster (per Samsung) |