K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WF-BCTD द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $8.20 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL-12 | — |
| पैकेज | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| विशेषताएँ | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Lead free / RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |