K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BCK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BPH90 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BCK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BPH90 | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| डेटा दर | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps/pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (DDR3L) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| पैकेज | 96FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | 0°C to 95°C (Tcase) |
| CAS लेटेंसी | Programmable up to 14 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| RoHS | — | Compliant |