K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BHMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYH90 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646D-BHMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (TC) |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |