K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK000 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYK000 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.5 V compatible) | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps (PC3-12800) | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-FBGA (BYK) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |