K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646F-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646F-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646F-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35V / 1.5V |
| डेटा दर | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 85°C | 0°C to 95°C (TC) |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |