K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646F-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646F-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646F-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35V / 1.5V |
| קצב נתונים | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | 0°C to 95°C (TC) |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ממשק | — | Parallel |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |