K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646F-BYK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646F-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646F-BYK0 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35V / 1.5V |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | 0°C to 95°C (TC) |
| Latensya ng CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Interface | — | Parallel |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |