K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH165VB-BIQK तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH086VB-BIQK द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BIQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ सक्रिय
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K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RAH086VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
संगठन 2G x 8 1G x 16
डेटा दर 4800 Mbps/pin 4800 Mbps (MT/s)
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
पैकेज 82FBGA [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
इंटरफ़ेस DDR5 (CA reduced pin count) —
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-Die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
ब्रांड — Samsung Semiconductor

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