K4RAH165VB-BCQK vs K4RBH165VB-BCQK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और K4RBH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RAH165VB-BCQK | K4RBH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| डेटा दर | 4800 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | On-chip (on-die) ECC |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0 C to +85 C |
| पैकेज | 106-ball FBGA | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| Speed Grade | — | BCQK (4800 Mbps) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| सप्लाई वोल्टेज | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] |