K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-BF55 द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-GF55T00 द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ सक्रियSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55T00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 256 Kbit | 256 Kbit |
| संगठन | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Technology | CMOS | CMOS |
| पैकेज | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Data Retention | — | Low data retention voltage supported |
| Packaging Variant | — | Tape & Reel (T00 suffix) |