K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-BF55 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-GF70000 द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-BF55 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ सक्रिय
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K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-BF55
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी DRAM DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
मेमोरी आकार 256 Kbit 256 Kbit
संगठन 32K x 8 bit 32K x 8
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS CMOS
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
डेटा बस चौड़ाई 8 bit (tri-state I/O) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Input/Output Levels TTL compatible —
पैकेज 28-SOP 28-SOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
सप्लाई वोल्टेज — 5 V
Memory Format — SRAM
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Refresh — Not required (static memory)

डेटाशीट और संसाधन

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