K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55000 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-GF70000 द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-GF55000 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ सक्रियSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X0808C1D-GF70000 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 256 Kbit | 256 Kbit |
| संगठन | 32K x 8 bit | 32K x 8 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage - Max | 5.5 V | — |
| Technology | Low Power CMOS | Low-power CMOS |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 8 bit (tri-state I/O) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Input/Output Levels | TTL compatible | — |
| पैकेज | 28-SOP | 28-SOP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5 V |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| आउटपुट प्रकार | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |