K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55000 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K6X0808C1D-GF70000 מאת Samsung Electronics ו K6X0808C1D-GF55000 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ פעילSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K6X0808C1D-GF70000 | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| גודל זיכרון | 256 Kbit | 256 Kbit |
| ארגון | 32K x 8 bit | 32K x 8 |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage - Max | 5.5 V | — |
| Technology | Low Power CMOS | Low-power CMOS |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| רוחב אפיק נתונים | 8 bit (tri-state I/O) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Input/Output Levels | TTL compatible | — |
| מארז | 28-SOP | 28-SOP |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| מתח אספקה | — | 5 V |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| סוג פלט | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |