K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-BF70 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-GF70T00 द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K6X0808C1D-BF70 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-BF70
ब्रांड Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
श्रेणी DRAM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM (CMOS)
मेमोरी आकार 256 Kbit —
संगठन 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
सप्लाई वोल्टेज 5 V [DATA_NEEDED: Supply Voltage]
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज 28-SOP 28-SOP (PDSO28)
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial grade, BF suffix)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7)
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Density — 256 Kbit
Operating Current (active) — [DATA_NEEDED: Operating Current]
Standby Current (CMOS) — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Data Retention — Volatile (battery-backup capable with CE control)
Address Bus — A0-A14 (15 address lines)

डेटाशीट और संसाधन

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