K9HCG08U1M vs K9MDG08U5M तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9HCG08U1M द्वारा Samsung Electronics और K9MDG08U5M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage
K9HCG08U1M ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9HCG08U1M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Technology | MLC NAND Flash | — |
| Total Capacity | 64 Gbit | — |
| संगठन | 8G x 8 | 16G x 8 bit |
| डेटा बस चौड़ाई | 8 bit | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: read time] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: program time] | [DATA_NEEDED: tPROG] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| पैकेज | TSOP-48 (PDSO48) | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +105C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B#) | — |
| Die Technology | Samsung E-die (per datasheet family) | — |
| Full Ordering Code | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 | — |
| मेमोरी प्रकार | — | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Cell Type | — | MLC (2 bits per cell) |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| इंटरफ़ेस | — | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| RoHS स्थिति | — | unknown |