K9HCG08U1M vs K9MDG08U5M 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9HCG08U1M 제조: Samsung Electronics 및 K9MDG08U5M 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9HCG08U1M | K9MDG08U5M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $35.50 |
| Memory Technology | MLC NAND Flash | — |
| Total Capacity | 64 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 8G x 8 | 16G x 8 bit |
| 데이터 버스 폭 | 8 bit | — |
| 인터페이스 유형 | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) | — |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: read time] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: program time] | [DATA_NEEDED: tPROG] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| 패키지 | TSOP-48 (PDSO48) | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +105C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B#) | — |
| Die Technology | Samsung E-die (per datasheet family) | — |
| Full Ordering Code | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 | — |
| 메모리 유형 | — | MLC Large Block NAND Flash |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Cell Type | — | MLC (2 bits per cell) |
| Supply Voltage Min | — | 2.7 V |
| Supply Voltage Max | — | 3.6 V |
| 인터페이스 | — | Asynchronous x8 multiplexed address/data |
| Terminals | — | 48 |
| Circuits | — | 1 |
| Die Configuration | — | Dual stacked |
| Page Read Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: tR] |
| RoHS 상태 | — | unknown |