M29W128GH70ZS3E vs M29W128GL70ZS3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W128GH70ZS3E द्वारा Micron Technology और M29W128GL70ZS3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W128GH70ZS3E M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E ✓ सक्रिय
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M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W128GH70ZS3E M29W128GL70ZS3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash (SLC) NOR Flash
Density 128 Mbit (16 MB) —
संगठन 8M x16 (x8/x16 capable family) —
Access Time 70 ns 70 ns
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
इंटरफ़ेस Parallel, Asynchronous Parallel
Boot Block Top Boot Block —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C (per distributor code data)
पैकेज 64-FBGA (11 x 13 mm), LBGA 64-FBGA (11x13 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology NOR Flash, SLC —
Common Flash Interface Yes —
Block Protection Hardware/Software block protection —
Automotive Temperature Grade Yes (-40C to +125C) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
मेमोरी आकार — 128 Mbit (16 MB)
Family — M29W128G (GL variant)
Bus Width — x16
Boot Block Architecture — Bottom boot (GL)
Program/Erase Supply — Single supply (no separate VPP required)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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