M29W128GH70ZS3E vs M29W128GL70ZS3E 比較

詳細並排比較 M29W128GH70ZS3E 由 Micron Technology 與 M29W128GL70ZS3E 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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M29W128GH70ZS3E M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E - 128Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W128GH70ZS3E ✓ 啟用中
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M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29W128GH70ZS3E M29W128GL70ZS3E
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 Parallel NOR Flash (SLC) NOR Flash
Density 128 Mbit (16 MB) —
組織 8M x16 (x8/x16 capable family) —
Access Time 70 ns 70 ns
供應電壓 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
介面 Parallel, Asynchronous Parallel
Boot Block Top Boot Block —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C (per distributor code data)
封裝 64-FBGA (11 x 13 mm), LBGA 64-FBGA (11x13 mm)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Technology NOR Flash, SLC —
Common Flash Interface Yes —
Block Protection Hardware/Software block protection —
Automotive Temperature Grade Yes (-40C to +125C) —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 等級 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
記憶體容量 — 128 Mbit (16 MB)
Family — M29W128G (GL variant)
Bus Width — x16
Boot Block Architecture — Bottom boot (GL)
Program/Erase Supply — Single supply (no separate VPP required)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

資料表與資源

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