M29W800FB70N3E vs M29W400FB55N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W400FB55N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FB70N3E M29W400FB55N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 8 Mbit (8388608 bits) 4 Mbit (4194 kbits)
संगठन 512K x 16 / 1M x 8 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
डेटा बस चौड़ाई x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us per byte/word (typical) 10 us per byte/word typical
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
पिन काउंट 48 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

डेटाशीट और संसाधन

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