MMBT3904,215 vs MMBT3904-7-F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MMBT3904,215 द्वारा Nexperia और MMBT3904-7-F द्वारा Diodes Incorporated. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nexperia
MMBT3904,215 MMBT3904,215 - 40V NPN Switching Transistor | Nexperia SOT-23

MMBT3904,215 - 40V NPN Switching Transistor | Nexperia SOT-23

MMBT3904,215 ✓ सक्रिय
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MMBT3904,215 MMBT3904-7-F
ब्रांड Nexperia Diodes Incorporated
श्रेणी Transistors Transistors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
पैकेज SOT-23 (TO-236AB) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) 40 V 40 V
कलेक्टर-बेस वोल्टेज (Vcbo) 60 V 40 V
एमिटर-बेस वोल्टेज (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (Pd) 250 mW —
ट्रांज़िशन फ्रीक्वेंसी (ft) 300 MHz (minimum) 300 MHz minimum
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V) 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V
कलेक्टर-एमिटर सैचुरेशन वोल्टेज (Vce(sat)) 200 mV (typical at IC = 10 mA) 200 mV typical @ IC=10 mA
Noise Figure (NF) 5 dB (maximum) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -65 °C to +150 °C -55 C to +150 C
पिन काउंट 3 —
PNP Complement MMBT3906 —
RoHS स्थिति Compliant —
Power Dissipation (PD) — 300 mW
पैकेज / केस — SOT-23-3
Die Construction — Epitaxial Planar
Complementary PNP Type — MMBT3906-7-F
RoHS Compliance — Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free)

डेटाशीट और संसाधन

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