MPX5010DP vs MPXV5010DP तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPX5010DP द्वारा NXP Semiconductors और MPXV5010DP द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPX5010DP | MPXV5010DP |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Pressure Type | Differential | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload kPa] | [DATA_NEEDED: maximum overload] |
| Sensitivity | 450 mV/kPa (typical) | — |
| आउटपुट वोल्टेज रेंज | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V |
| सप्लाई वोल्टेज | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) |
| सप्लाई करंट | [DATA_NEEDED: supply current mA] | — |
| Linearity | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (compensated) | -40 C to +125 C |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature C] | — |
| Port Configuration | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube | — |
| पैकेज | 6-SIP Module | 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports |
| आउटपुट प्रकार | Analog, ratiometric | Analog, Ratiometric |
| माउंटिंग प्रकार | Through-hole (SIP) | Surface Mount |
| Technology | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned | Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Accuracy | — | 5 % (over 0 C to 85 C) |
| Response Time | — | 1 ms typical |
| Compensated Temperature | — | 0 C to 85 C |
| Port Style | — | Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side |