MPXHZ6115AC6U vs MPXH6115AC6U तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPXHZ6115AC6U द्वारा NXP Semiconductors और MPXH6115AC6U द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MPXHZ6115AC6U - 15-115kPa Absolute Pressure Sensor, 5V | NXP
MPXHZ6115AC6U ✓ सक्रियNXP Semiconductors
MPXH6115AC6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor, 5V, 8-SOIC
MPXH6115AC6U ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPXHZ6115AC6U | MPXH6115AC6U |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| सेंसर प्रकार | Absolute Pressure Sensor | — |
| Pressure Range | 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) | — |
| आउटपुट प्रकार | Analog Voltage | Analog, ratiometric to VCC |
| आउटपुट वोल्टेज रेंज | 0.2 V to 4.7 V (at VCC = 5 V) | 0.2 V to 4.7 V (at 5 V supply) |
| Supply Voltage (VCC) | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| Sensitivity | 45.9 mV/kPa (typical) | 45.9 mV/kPa (typical) |
| Accuracy | ±1.5 % over -40 °C to +125 °C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +125 °C | -40 C to +125 C |
| Compensated Temperature Range | 0 °C to +85 °C | 0 C to +85 C |
| Port Style | Top port, 3.3 mm (0.13 in) tube | — |
| पैकेज | 8-SOIC (0.335 in / 8.50 mm width), top port | 8-SOIC (0.335 inch, 8.50 mm width) Top Port |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Media Compatibility | Dry air, non-corrosive gases (PPS gel barrier) | — |
| On-chip Signal Conditioning | Yes (amplified, temperature-compensated, calibrated) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Pressure Type | — | Absolute |
| Operating Pressure Range | — | 2.18 PSI to 16.68 PSI (15 kPa to 115 kPa) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Port Type | — | Male - 0.13 inch (3.3 mm) Tube, Top |
| Signal Conditioning | — | On-chip bipolar op-amp + thin-film resistor network |
| Technology | — | Piezoresistive MEMS, monolithic silicon |
| Port Orientation | — | Top-side vertical |