MRF6S9130HR5 vs MRF6S9130HSR5 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF6S9130HR5 द्वारा NXP Semiconductors और MRF6S9130HSR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MRF6S9130HR5 - 27W 880MHz LDMOS RF Power Transistor | NXP
MRF6S9130HR5 ⚠ अंतिम खरीद
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MRF6S9130HR5 | MRF6S9130HSR5 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | Obsolete |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement-Mode LDMOS | LDMOS (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage Rating (VDS) | 68 V | — |
| Operating Drain Voltage (VDD) | 28 V typical | — |
| Test Frequency | 880 MHz | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Output Power (CW) | 27 W | — |
| Power Gain | 19.2 dB | — |
| Test Bias Current (IDQ) | 950 mA | — |
| पैकेज / केस | NI-780H-2L (ceramic flange) | NI-780S |
| माउंटिंग प्रकार | Chassis / Flange Mount | Chassis Mount / Flange |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOS) | RF Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement Mode | — |
| Intended Applications | N-CDMA, GSM, GSM EDGE base-station amplifiers | — |
| Multi-Carrier Capable | Yes (MCA) | — |
| Lead Free Status | Lead Free | — |
| Replacement Note | MRF6S9130HR3/HSR3 replaced by MRFE6S9130HR3/HSR3 per PCN12895 | — |
| Frequency | — | 880 MHz |
| Gain | — | 19.2 dB |
| Output Power (P1dB) | — | 27 W (CW) |
| Test Voltage (Vdd) | — | 28 V |
| Test Current (Idq) | — | 950 mA |
| Voltage Rated (Vdss) | — | 68 V |
| Supplier Device Package | — | NI-780S |
| Application | — | N-CDMA, GSM, GSM EDGE base station |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: verify against specific lot] |
| Lead Free | — | Yes (per NXP migration note) |
| Part Status | — | Obsolete - replaced by MRFE6S9130HSR5 (per PCN12895) |
| Manufacturer | — | NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) |