MRF8HP21130HR5 vs MRF8HP21080HR5 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF8HP21130HR5 द्वारा NXP Semiconductors और MRF8HP21080HR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MRF8HP21130HR5 - 130W LDMOS RF Power Transistor | NXP | LTE/W-CDMA
MRF8HP21130HR5 Obsolete
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MRF8HP21130HR5 | MRF8HP21080HR5 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | Obsolete |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | LDMOS, N-Channel, Dual | LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements) |
| Technology | HV8 Lateral MOSFET | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) Rated | 65 V | — |
| Test Conditions Voltage | 28 V | — |
| Test Conditions Current (Idq) | 360 mA | — |
| Operating Frequency Range | 2110 MHz to 2170 MHz | — |
| Center Test Frequency | 2.17 GHz | — |
| Power Gain | 14 dB | 14.4 dB at 2.17 GHz |
| Output Power (CW, Test) | 28 W | — |
| Maximum Power Dissipation | 118 W | — |
| Configuration | Common Source, 2 Elements | Common Source, 2 Elements |
| पैकेज / केस | NI-780-4 (ceramic flange) | NI-780-4 (Case 465M) |
| Supplier Device Package | NI-780-4 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount / Chassis Mount (flange) | Flange Mount / Chassis Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Frequency | — | 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band) |
| Test Voltage | — | 28 V |
| Test Current | — | 150 mA |
| Output Power (Avg.) | — | 16 W (W-CDMA/LTE) |
| Drain-Source Voltage Rating | — | 65 V |
| Number of Terminals | — | 4 |
| Surface Mount | — | No (flange mount) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C (not applicable - flange mount) |
| Part Status (DigiKey) | — | Discontinued at Digi-Key |