MRF8HP21130HR5 vs MRF8HP21080HR5 比較

詳細な並列比較: MRF8HP21130HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF8HP21080HR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF8HP21130HR5 MRF8HP21130HR5 - 130W LDMOS RF Power Transistor | NXP | LTE/W-CDMA

MRF8HP21130HR5 - 130W LDMOS RF Power Transistor | NXP | LTE/W-CDMA

MRF8HP21130HR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF8HP21080HR5 MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 Obsolete

仕様比較

パラメータ MRF8HP21130HR5 MRF8HP21080HR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 Obsolete Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $65.00 $88.00
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel, Dual LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements)
Technology HV8 Lateral MOSFET W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) Rated 65 V —
Test Conditions Voltage 28 V —
Test Conditions Current (Idq) 360 mA —
Operating Frequency Range 2110 MHz to 2170 MHz —
Center Test Frequency 2.17 GHz —
Power Gain 14 dB 14.4 dB at 2.17 GHz
Output Power (CW, Test) 28 W —
Maximum Power Dissipation 118 W —
Configuration Common Source, 2 Elements Common Source, 2 Elements
パッケージ / ケース NI-780-4 (ceramic flange) NI-780-4 (Case 465M)
Supplier Device Package NI-780-4 —
実装タイプ Surface Mount / Chassis Mount (flange) Flange Mount / Chassis Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Frequency — 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band)
Test Voltage — 28 V
Test Current — 150 mA
Output Power (Avg.) — 16 W (W-CDMA/LTE)
Drain-Source Voltage Rating — 65 V
Number of Terminals — 4
Surface Mount — No (flange mount)
Peak Reflow Temperature — 260 C (not applicable - flange mount)
Part Status (DigiKey) — Discontinued at Digi-Key

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼