MRF8S18120HSR3 vs MRF8S18120HR3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF8S18120HSR3 द्वारा NXP Semiconductors और MRF8S18120HR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF8S18120HSR3 MRF8S18120HSR3 - 72W, 1.81GHz RF LDMOS | NXP | Cellular BTS

MRF8S18120HSR3 - 72W, 1.81GHz RF LDMOS | NXP | Cellular BTS

MRF8S18120HSR3 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF8S18120HSR3 MRF8S18120HR3
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRF8S18120HSR3 MRF8S18120HR3
ट्रांज़िस्टर प्रकार LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Drain-Source Voltage (Max) 65 V —
Test Drain Voltage 28 V —
Test Quiescent Current (IDQ) 800 mA —
Operating Frequency 1805 MHz to 1880 MHz —
Center Frequency 1.81 GHz —
Output Power (CW) 72 W 72 W
Power Gain (Typ) 18.2 dB —
Drain Current (Test) 800 mA —
Package Type NI-780S —
माउंटिंग स्टाइल Surface Mount (ceramic flange) —
Operating Class Class AB / Class C —
Application GSM / GSM EDGE cellular base station power amplifiers —
RoHS स्थिति Compliant Compliant per NXP product page
Frequency Range — 1805 to 1880 MHz
Power Gain (typ) — 18.2 dB at 1.81 GHz
Drain-Source Voltage (Rated) — 65 V
Test Drain Voltage (Vdd) — 28 V
Test Quiescent Current (Idq) — 800 mA
Drain Current Rating — 10 uA (leakage spec entry per datasheet)
Operating Mode — Class AB, Class C
पैकेज — NI-780H (3-pin ceramic, flangeless)
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount / Screw-down heatsink
Target Application — GSM, GSM EDGE base station PA

डेटाशीट और संसाधन

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