MRF8S21100HSR3 vs MRF8S21120HSR3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF8S21100HSR3 द्वारा NXP Semiconductors और MRF8S21120HSR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF8S21100HSR3 MRF8S21100HSR3 - 100W RF Power MOSFET, 2.11-2.17 GHz | NXP

MRF8S21100HSR3 - 100W RF Power MOSFET, 2.11-2.17 GHz | NXP

MRF8S21100HSR3 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRF8S21120HSR3 MRF8S21120HSR3 - 28W RF Power MOSFET 2110-2170 MHz | NXP

MRF8S21120HSR3 - 28W RF Power MOSFET 2110-2170 MHz | NXP

MRF8S21120HSR3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF8S21100HSR3 MRF8S21120HSR3
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET —
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V nominal —
Frequency Range 2110 MHz to 2170 MHz 2110-2170 MHz
Test Frequency 2.14 GHz —
Output Power (CW, typical) 100 W —
Average Output Power (W-CDMA) 24 W —
Power Gain (typ) 18.3 dB at 2.14 GHz —
Drain Current (ID, max) [DATA_NEEDED: max ID rating] —
पैकेज / केस NI-780S (Case 465A-06), 3-pin ceramic flange —
Configuration Single, push-pull N/A —
माउंटिंग प्रकार Chassis / flange mount, screw-down —
Operating Class Class AB or Class C —
Application W-CDMA, LTE base-station power amplifiers —
RoHS स्थिति Compliant (per NXP product family) RoHS compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MRF8S21120HSR3
Device Type — N-Channel Enhancement-Mode Lateral RF Power MOSFET
Output Power (P1dB / average) — 28 W average, W-CDMA / LTE
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 65 V
Operating Drain Voltage — 28 V
Power Gain (Typical) — 17.6 dB at 2.17 GHz
Drain Efficiency (Typical) — [DATA_NEEDED: datasheet efficiency figure]
Operating Mode — Class AB / Class C
Package Type — NI-780HS (ceramic flange)
Case Mounting — Source on case (flange grounding)
पिन की संख्या — 2-pin (Gate, Drain)
माउंटिंग स्टाइल — Through-hole / bolt-down flange
MSL स्तर — 1 (unlimited)

डेटाशीट और संसाधन

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