MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F2G08ABAEAWP-IT:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT29F1G08ABAEAWP-IT:E द्वारा Micron Technology और MT29F2G08ABAEAWP-IT:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ सक्रियMicron Technology
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - 2Gb SLC NAND Flash, 48-TSOP | Micron
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी आकार | 1 Gbit (128 MB) | 2 Gbit (256 M x 8) |
| संगठन | 128M x 8 | 2048 blocks x 64 pages x 2112 bytes (x8) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Asynchronous Parallel (x8 / x16 selectable) |
| सप्लाई वोल्टेज | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | — |
| Block Size | 128 KB | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C | -40C to +85C (Industrial) |
| पैकेज | TSOP-48 | 48-pin TSOP-I (Type I) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| मेमोरी प्रकार | — | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| Page Size (x8) | — | 2112 bytes (2048 + 64 spare) |
| Page Size (x16) | — | 1056 words (1024 + 32 spare) |
| Plane Size | — | 2 planes x 1024 blocks per plane |
| ONFI Compliance | — | ONFI 1.0 |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| विशेषताएँ | — | Hardware WP, hardware reset, copy-back, OTP, ECC spare area |
| MSL स्तर | — | 3 |