MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16JY-083E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16AD-062E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16JY-083E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A512M16AD-062E MT40A512M16JY-083E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Automotive)
मेमोरी आकार 8 Gbit —
संगठन 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
Access Time (Row Cycle) 19 ns —
इंटरफ़ेस Parallel (POD) —
पैकेज 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) 96-FBGA (8 x 14 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AUT:E (automotive variant) —
Speed Grade -062E —
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Prefetch Architecture 8n with bank groups —
HS Code (USHTS) 8542320071 —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: reel quantity] —
Density — 8 Gbit
डेटा दर — 2400 MT/s (speed grade -083E)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
हैलोजन फ्री — Compliant
Country of Origin — China

डेटाशीट और संसाधन

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