MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16JY-075E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16LY-075:E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.33 GHz |
| CAS लेटेंसी | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.14V to 1.26V |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-FBGA (8x14) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | Compliant | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |