MT41K256M16HA-107:E vs MT41K256M16HA-125:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-107:E द्वारा Micron Technology और MT41K256M16HA-125:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ सक्रियMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16HA-107:E | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | — |
| पैकेज | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| डेटा दर | 1866 MT/s | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| पिन की संख्या | 96 | 96 |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS लेटेंसी | 13 (typical) | 13.75 ns |
| Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (TC) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |